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1.半导体芯片制造核心区域：光刻区：ISO1-3级（Class1~10），控制0.1μm微粒，温度波动≤±0.1℃。蚀刻/薄膜沉积区：ISO4级（Class10），防化学气体腐蚀（AMC控制）。特殊要求：防静电（地板电阻
